在对界面材料、钙钛矿身分和器件结构进行了大宗优化之后，单结钙钛矿太阳能电板 (PSC) 的功率转念恶果 (PCE) 已跳跃 25%。在单片硅基串联太阳能电板中，带隙可调的钙钛矿半导体也杀青了大于 30% 的高恶果。为了进步掺杂恶果，东说念主们进行了各式尝试，通过合理设想取代的离子掺杂剂，如金属盐、解放基阳离子和路易斯酸。但是，这些添加剂仍然会对薄膜的领路性产生不利影响，其在 PSC 中的性能仍然落伍于 LiTFSI。为了幸免掺杂有机薄膜中出现相折柳时势，掺杂先行者体中应严格拔除离子和蒸发性物资，以杀青令东说念主惬心的组分相容性，而分子掺杂不错杀青这少许。率先，拔除离子掺杂成心于收缩迁徙引起的结构变形，阻挠 HTL 的电性能退化。其次，分子夹杂物中身分的高度均匀性成心于器件中的电荷传输和蚁合。第三，有机材料的疏水性成心于防护水分干预，从而进步 HTL 阻隔保护的灵验性。在以往的蓄意中，东说念主们在真空和溶液惩办 HTL 中探索了各式基于四氰基二甲烷（TCNQ）繁衍物的分子掺杂剂，如 F4TCNQ、F6TCNQ等。但是，这些掺杂剂大多显裸露访佛的局限性，即器件恶果较低（<20%），这是为获取器件寿命而作念出的权衡。天然还是树立出一些用于 PSC 的无掺杂 HTM，但它们大多际遇材料本钱高或器件性能不睬思的问题。因此，紧要需要从根底上了解分子掺杂的机理，并优化掺杂配置，以获取高效领路的 HTL。
来自厦门大学的学者战术性地引入了一种简便灵验的分子植入赞成序贯掺杂（MISD）活动，以窜改有机薄膜的空间掺杂均匀性，并制造出全蒸发的斯派罗-OMeTAD 层，从而杀青无相折柳的 HTL，同期具有高分子密度、均匀的掺杂身分和优异的光电特色。由此产生的基于 MISD 的器件达到了创记录的 23.4% 功率转念恶果 (PCE)，在悉数选择蒸发 HTL 的 PSC 中达到了最高值。同期，未封装器件的领路性也大大进步，在空气中责任 5200 小时，在光照下以最大功率点责任 3000 小时，仍能保合手 90% 以上的运行 PCE。干系著述以“Sequential Molecule-Doped Hole Conductor to Achieve >23% Perovskite Solar Cells with 3000-Hour Operational Stability”标题发表在Advanced Materials。
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太阳城https://doi.org/10.1002/adma.202303692
图 1. A) 螺-OMeTAD、LiTFSI 和 tBP的化学结构。带有离子掺杂的溶液法螺-OMeTAD 的短处。B)选择不同真空千里积手艺制造 HTL 的经由，包括收尾、SD 和 MISD。C) 运用 MISD 手艺蒸发 HTL 的齐全器件图像，以及收尾、SD 和 MISD 薄膜中的掺杂机制暗示图。
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图 2. 基于 A) 对照组、B) SD 和 C) MISD 的不同 HTL 的傅立叶变换红外图谱。D) 对照组、标清组和基于 MISD 的 HTL 的傅立叶变换红外光谱。E) 对照组、标清组和基于 MISD 的HTL 的紫外-可见招揽光谱。F) 从 UPS 索要的不同蚀刻深度薄膜的 HOMO 值。G) 基于 SD 和 MISD HTL 的钙钛矿薄膜的 TOF-SIMS 深度弧线。H) 不同刻蚀深度的 SD 和基于 MISD 的 HTL 中 F 分散的相应 TOF-SIMS 层析图。
修改完善后的《独董办法》共六章四十八条，主要包括以下内容：一是明确独立董事的任职资格与任免程序。细化独立性判断标准，并对担任独立董事所应具备的专业知识、工作经验和良好品德作出具体规定。改善选任制度，从提名、资格审查、选举、持续管理、解聘等方面全链条优化独立董事选任机制，建立提名回避机制、独立董事资格认定制度等。明确独立董事原则上最多在三家境内上市公司担任独立董事的兼职要求。二是明确独立董事的职责及履职方式。独立董事履行参与董事会决策、对潜在重大利益冲突事项进行监督、对公司经营发展提供专业建议等三项职责，并可以行使独立聘请中介机构等特别职权。聚焦决策职责，从董事会会议会前、会中、会后全环节，提出独立董事参与董事会会议的相关要求。明确独立董事通过独立董事专门会议及董事会专门委员会等平台对潜在重大利益冲突事项进行监督。要求独立董事每年在上市公司的现场工作时间不少于十五日，并应当制作工作记录等。三是明确履职保障。健全履职保障机制，上市公司应当为独立董事履行职责提供必要的工作条件和人员支持。健全独立董事履职受限救济机制，独立董事履职遭遇阻碍的，可以向董事会说明情况，要求董事、高级管理人员等予以配合，仍不能消除阻碍的，可以向中国证监会和证券交易所报告。四是明确法律责任。按照责权利匹配原则，针对性细化独立董事责任认定考虑因素及不予处罚情形，体现过罚相当、精准追责。五是明确过渡期安排。对上市公司董事会及专门委员会的设置、独立董事专门会议机制、独立董事的独立性、任职条件、任职期限及兼职家数等事项设置一年的过渡期。过渡期内，上述事项与《独董办法》不一致的，应当逐步调整至符合规定。
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图 3. 基于 A) 对照组、B) SD 和 C) MISD 的不同 HTL 的钙钛矿薄膜的 C-AFM 图像。D) 基于收尾、SD 和 MISD 的 HTL 的名义电位弧线。E) 收尾型和基于 MISD 的 HTL 的空穴迁徙率随温度变化的 ln(μ0) 与 T-2 走漏模式。G)在 ITO 上涂覆 0-0.2 mmol mL-1FAI 溶液后的对照型、H) MISD 型和 I) SP 型 HTL 的电导率变化（插图：不同 FAI 浓度 HTL 的 I-V 弧线）。
图 4. 基于 A) SP 和 C) MISD 的老化HTL 的 SKPM 收尾。B) SP 和 D) MISD 薄膜的名义电位弧线。基于 E) 老化 SP 和 G) 老化 MISD 的 HTL 的 C-AFM 收尾。F) 老化的 SP 和 H) 老化的 MISD 薄膜的名义电导率弧线。银负极和 HTL 在 80% 相对湿度的环境条款下搁置 1500 小时后的扫描电镜图像：I) 基于 SP 的器件中的银负极；J) 基于SP 的器件中的 HTL；K) 基于 MISD 的器件中的银负极；L) 基于MISD 的器件中的 HTL。M) SP 和 N) MISD 器件的银负极和 HTL 在 80 ℃ 热退火 2 小时后的扫描电镜图像。O) SP 和 P) MISD 柔性器件中的 HTL 在迂回 1000 次后的扫描电镜图像。
图 5. A) ITO/SnO2/perovskite/Spiro-OMeTAD/F4TCNQ /Au 器件结构。B) 选择不同 HTL 的器件的光伏性能相比。C) 基于 FA0.9MA0.03Cs0.07PbBr0.24I2.76钙钛矿的不同 HTL 的优化器件的 J-V 特色。D) 基于 Rb0.05FA0.95PbI3钙钛矿的不同 HTL 的优化器件的 J-V 特色。E) 基于 Rb0.05FA0.95PbI3钙钛矿的不同 HTL 器件的光伏性能相比。F) 基于蒸发 HTL 的器件的代表性 PCE 统计数据。G) 基于柔性衬底的不同 HTL 的优化器件的 J-V 特色。(插图：基于不同HTL 的器件的 PCE 直方图以及基于柔性衬底的 MISD 器件相片）。H) 基于不同 HTL 的器件在空气条款下存储的平均 PCE 演变。
图 6. A) 基于不同 HTL 的器件在光浸泡经由中 PCE 的变化。B) 基于 SP 和 MISD 的未封装器件在相对湿度≈80% 的环境条款下储存的始终领路性（注：PCE 代表光浸泡后的领路恶果）。C) 基于 SP、Control 和 MISD 的未封装器件在相对湿度≈30% 的干燥柜中储存的始终领路性（注：PCE 代表光浸泡后的领路恶果）。D) 基于 SP 和 MISD 的未封装器件在氮气环境中 LED 照明下的始终运行领路性。领路性测试中使用的包光体身分基于 FA0.9MA0.03Cs0.07PbI2.76Br0.24。
本蓄意树立了一种便捷的 MISD 活动，用于热千里积基于 Spiro-OMeTAD 的 HTL。MISD 工艺能在夹杂薄膜中获取高度均匀的掺杂，从而灵验进步薄膜的导电性、能级胪列和超卓的薄膜领路性。因此，基于 MISD 的器件杀青了 23.4% 的创记录 PCE，这是当今已报说念的使用悉数蒸发 HTL 的 PSC 的最高 PCE。此外，MISD成心于拔除后氧化和光浸泡经由，从而大大进步了器件的领路性和可靠性。咱们的蓄意收尾为分子掺杂机制提供了新的办法，并为制造高效领路的有机 HTL 提供了一种便捷的掺杂活动。（文：SSC）
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